壓力傳感器在過載保護方麵都是如何設計的

發布時間：2022年10月11日 17時19分00秒

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　　壓力傳(chuan) 感器有很多參數指標，其中有一項是過載保護，過載就是負荷過大，超過了設備本身的額定負載產(chan) 生的現象是電流過大，用電設備發熱，線路長期過載會(hui) 降低線路絕緣水平，甚至燒毀傳(chuan) 感器設備或線路;過載保護就是即使負荷超過了額定負載也不會(hui) 出現燒壞線路的情況，但是也有一個(ge) 度，一般是150%的範圍內(nei) ，而且不能持續過載工作。

　　壓力傳(chuan) 感器有很多形式，每種結構形式的過載保護設計方法也是各不相同的，眾(zhong) 多方法都有各自的優(you) 點和缺點，采用MEMS 技術的小量程、高靈敏壓力傳(chuan) 感器通 常有平膜、島膜、梁膜等結構，在設計過載保護時，一般采用凸台等方法實現，形成方法有背部刻蝕技術、矽直接鍵合技術、玻璃刻蝕技術等。然而這些結構一般都 有一個(ge) 很大的局限性就是腔體(ti) 尺寸較大，進一步提高靈敏度受到限製，而且降低了矽片利用率，增加了製造工藝的複雜度，提高了生產(chan) 成本。

　　目前，小量程、高靈敏壓力傳(chuan) 感器的研究熱點集中在犧牲層結構壓力傳(chuan) 感器，這主要是因為(wei) 犧牲層結構壓力傳(chuan) 感器彈性膜片很薄，厚度可做到2 μm，甚至更薄。在這樣薄的結構上如果采用擴散矽或多晶矽薄膜作為(wei) 犧牲層結構壓力傳(chuan) 感器的應變電阻，其厚度相對較大，對彈性膜片應力分布影響很大，不利於(yu) 犧牲層結構壓力傳(chuan) 感器的性能優(you) 化，因此采用多晶矽納米薄膜製作應變電阻更能發揮犧牲層技術的優(you) 點。

　　而過載保護其實是每種傳(chuan) 感器都需要考慮到的因素，因為(wei) 在使用過程中可能會(hui) 出現測量值大於(yu) 量程的情況，隻有設計了過載保護的傳(chuan) 感器才能更好的使用，也才能使用得更久。具體(ti) 每種傳(chuan) 感器的過載保護是如何設計的，過載範圍是多少都是不同的，所以不管是買(mai) 哪種傳(chuan) 感器一定要了解它的過載保護是多少，這樣才能更好的方便使用，在未來使用過程中也不會(hui) 出現由於(yu) 過載燒壞電路的情況。以上便是為(wei) 大家介紹壓力傳(chuan) 感器的過載後果和保護方法。

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